Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
6

Effect of oxygen plasma treatment on the performance of AlGaN/GaN ion-sensitive field-effect transistors

Wang, Lei, Bu, Yuyu, Ao, Jin-Ping
Журнал:
Diamond and Related Materials
Рік:
2017
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.20 MB
english, 2017
8

Physical-Based Simulation of the GaN-Based Grooved-Anode Planar Gunn Diode

Wang, Ying, Li, Liu-An, Ao, Jin-Ping, Hao, Yue
Журнал:
Micromachines
Рік:
2020
Файл:
PDF, 9.04 MB
2020
10

Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering

Jin-Ping Ao, Asato Suzuki, Kouichi Sawada, Satoko Shinkai, Yoshiki Naoi, Yasuo Ohno
Журнал:
Vacuum
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 628 KB
english, 2010
11

High-sensitivity UV phototransistor with GaN/AlGaN/GaN gate epi-structure

Masaya Okada, Kazuaki Matsuura, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno, Hiroji Kawai
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 379 KB
english, 2007
13

A monolithic Cockcroft-Walton voltage multiplier based on AlGaN/GaN HFET structure

Jin-Ping Ao, Yoshikazu Matsuda, Yuya Yamaoka, Yasuo Ohno
Журнал:
physica status solidi (c)
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 167 KB
english, 2007
14

Characterization of AlGaN/GaN HFET With p-Type Body Layer

Cheng-Yu Hu, Kikuta, D., Sugimoto, M., Jin-Ping Ao, Ohno, Y.
Журнал:
IEEE Transactions on Electron Devices
Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 711 KB
english, 2011
16

Copper gate AlGaN/GaN HEMT with low gate leakage current

Jin-Ping Ao,, Kikuta, D., Kubota, N., Naoi, Y., Ohno, Y.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 214 KB
english, 2003
18

Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure

Ao, Jin-Ping, Naoi, Yoshiki, Ohno, Yasuo
Журнал:
Vacuum
Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 640 KB
english, 2013
27

Two-dimensional device simulation of AlGaN/GaN heterojunction FET side-gating effect

Ikawa, Yusuke, Lee, Keunsam, Ao, Jin-Ping, Ohno, Yasuo
Журнал:
Japanese Journal of Applied Physics
Рік:
2014
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.38 MB
english, 2014
33

Observation of Side-Gating Effect in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors

Ohno, Yasuo, Kio, Yusuke, Ikawa, Yusuke, Ao, Jin-Ping
Журнал:
Japanese Journal of Applied Physics
Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 994 KB
english, 2013
38

Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs

Kikuta, Daigo, Takaki, Ryohei, Matsuda, Junya, Okada, Masaya, Wei, Xin, Ao, Jin-Ping, Ohno, Yasuo
Журнал:
Japanese Journal of Applied Physics
Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 170 KB
english, 2005
48

10.1088/0256-307X/18/8/351

Xian-Jie, Li, Fa-Wang, Yan, Wen-Jun, Zhang, Rong-Gui, Zhang, Wei-Ji, Liu, Jin-Ping, Ao, Qing-Ming, Zeng, Shi-Yong, Liu, Chun-Guang, Liang
Журнал:
Chinese Physics Letters
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 252 KB
english, 2001